《星际战甲》夜灵平原BOSS完全攻略

指挥官篇

在做完[Saya的守夜][内战]后可以去希图斯与夜羽OKKN交流（按5切指挥官进门）获得第一把增幅器[微尘增幅器]（俗称滋水枪），并使指挥官血量提升至250。通过SENTIENT核心换取夜羽声望来获取更好的增幅器配件。

增幅器的选择

由于我们非常喜欢减少称呼上的麻烦，故依照夜羽集团声望等级、增幅器装配顺序讲述增幅器配置，例如：俗称的223就是夜羽集团声望第二等级可获得的施瓦克棱镜+夜羽集团声望第二等级可获得的施拉克孙支架+夜羽集团声望第三等级可获得的洛林曲柄。

破盾手的增幅器推荐T2支架【施拉克孙支架】配合T3曲柄【洛林曲柄】（棱镜随意，破盾基本靠支架）

注释：个人推测选择T2支架破盾的原因是因为它能触发冲击效果且BOSS弱冲击，T2支架拥有较高的暴击几率、暴击伤害与触发几率，配合电盾与增幅器赋能达到较高输出，在wiki与实战测试中得出“榴弹会穿过路径上的一切敌人，可以利用这点使榴弹射向敌人身后的位置造成更大伤害”（wiki上的附注）能对BOSS造成多段伤害，也使其对秒盾提供一大助力（但不要过于偏激）；曲柄决定弹药属性，T3曲柄在三大曲柄中增加+12%增幅器暴击＆触发几率，相较于T1T2T4的增加射击频率，T3曲柄能有效增加伤害进而秒盾（毕竟大多数一起射一到两发就秒了）。

Ps：T4支架最近放出来了，第一天时那属性简直爆表，变态的双暴使其随意蹲个两三倍，只要暴击就把盾带走，由于太过变态被削下神坛，现在仍然是T2支架的天下

指挥官赋能推荐【魔导活力】+【魔导 外壳】（在夜羽兑换）

注释：根据某大佬的计算能让指挥官有效血量达到2556.79（解绑蛇妖鳞甲，经久之潮，回春之潮）,收益较高于其他搭配，优先制作或保留的赋能推荐【魔导外壳】

增幅器赋能推荐【正直暗影】【正直 狂怒】【正直打击】

触发手法：

【正直 暗影】：在BOSS准备抬头嚎时，用虚空冲刺怼头，嚎完再怼一次。

注释:手法恶心，但能有效加快秒(qiang）盾稳定性，推荐想进阶十五连队伍的破盾大佬们带，实战之前最好关闭指挥官的冲刺速度，否则从轻来说你的队友可能会欣赏一场真人烟花秀，你也可能找不到回家的路，从重来说手残者会阻碍队伍发挥。

【正直 狂怒】：在BOSS嚎完起身时，顶着脚疯狂怼地板，怼到触发/boss站好

注释:手法简单，推荐九连进阶十二连的破盾大佬们带。

【正直 打击】：适合单刷用的赋能，E和次要交替砸。

注释:某单人九连的萌（ju）新（lao）使用的就是这个，在自己实测时明显感觉破盾速度会快很多很多（单刷无电男配置）

专精的配置

破盾手：M专精[虚空重击]点满 (虚空光辉点亮即可，点高会+蓝耗）→火行冲刺暂点亮用于触发赋能→M专精[内在凝视][永恒凝视]（点满暂不解绑）

注释：虚空重击（俗称M蹲）是破盾手秒盾的必备专精技能；火行冲刺在触发手法有提到，可用于触发【正直狂怒】，即使在BOSS站好时仍未触发，残余的火焰也能有概率触发；M专精的两大学派解绑推荐放最后面，因为解绑并不能提供属性加成，只是能让该技能共享给其他学派。

关节手：U专精[UNAIRU虚灵]→[石化外肤]→[蛇妖鳞甲]→[蛇妖凝视]

注释:满级的U虚灵能让指挥官伤害翻倍，关节带u能够加快兆力使（兆力使）的破盾速度，相比以前的u奶M主电关节阵容，能将整体速度提升1~2min；石化外肤与蛇妖鳞甲能显著增加指挥官肉度；蛇妖凝视可以增加E（虚空爆裂）的距离，能在较远的地方（甚至爆完关节站在原地EEEE），故也可将蛇妖凝视优先度摆在两者之前，看个人喜好。

Ps:提醒各大破盾手们，U虚灵是全队共享的，虽然长得像希图斯幽魂，但是吃完就没了的，故推荐各大破盾手们，尽量只吃一半（带了吸取的守护可以把甲放远一点，指挥官可以通过滑铲甩开U虚灵），以及各大星际破盾手，U灵固定生成在BOSS两脚之间的地上，由于该游有出色的物理引擎，U灵会由于斜坡而翻滚，该游还有穿模特色，即使没看到U灵，也要去胯下逛一逛；各大关节手拍U拍两轮，第一轮为BOSS倒地准备夏季八嚎的时刻（从关节打爆到开始叫），一直拍到它叫时回甲，第二轮为BOSS正在起身，拍个两三下意思下。

关于学派解绑，经各方dalao指点，[虚空川流]与[虚空虹吸]优先解绑，这样无论是破盾手还是关节手，才能有蓝拍，有蓝蹲，也在一定程度上增加赶场速度。

由于可以用黑翅膀【Itzal】增加赶场速度，故推荐增加指挥官肉度，才能顶住BOSS的输出进行调教（有时水力一道雷下来还没开始射就被打回甲了很难受的23333），故三大增加指挥官肉度的学派解绑中，+护甲的[蛇妖鳞甲]和+血量的[经久之潮]优先度摆在前面的位置。站得住脚后就要增加赶场速度，N精的[心灵疾跑]能有效增加冲刺速度与冲刺距离，十二连最主要的是赶场速度要快，基本上BOSS出水过半身就要把盾破好，让boss没机会走一步是十二连常见的基础操作。